CdTe Nanocrystal Synthesis in SiO2/Si Ion‐Track Template: The Study of Electronic and Structural Properties

R. Balakhayeva, Abdirash T. Akilbekov, Zein Baimukhanov, Abay B. Usseinov, Sh. Giniyatova, Maxim Vladimirovich Zdorovets, Liudmila A. Vlasukova, Anatoli I. Popov, Alma K. Dauletbekova, Rakhima Daurenbekova

2020

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1002/pssa.202000231

Деректер сенімділігі 85 жоғары

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The synthesis of CdTe nanocrystals (NCs) is performed by electrochemical deposition into prepared ion tracks in a a‐SiO2/Si‐n template. As a result, CdTe NCs are obtained in a wurtzite (WZ) crystal phase. The measurement of the current–voltage characteristics shows that the CdTe (WZ NC)/SiO2/Si system obtained in this way has n‐type conductivity. Computer simulations using the CRYSTAL computer code show good agreement between experimental and calculated lattice parameters. The theoretical calculations also show that the crystal has a direct bandgap at the Γ point of the Brillouin zone.