A self-powered UV–vis–NIR graphite/CdZnTe Schottky junction photodiode

Андрій Ігорович Мостовий, Serhii I. Kuryshchuk, Nurzhan Asanov, Hryhorii P. Parkhomenko, T. T. Kovalyuk, Ivan G. Orletskyi, М. Н. Солован, Віктор Васильович Брус

2023

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Hybrid Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1088/1361-6641/acd9e4

Деректер сенімділігі 85 жоғары

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract We proposed a self-powered UV–vis–NIR Schottky junction photodiode based on a unique combination of radiation-hard functional materials: thin-film semi-metal Graphite and CdZnTe single-crystal compound semiconductor. The graphite/CdZnTe Schottky junction photodiodes exhibit a maximum responsivity of 0.25 A W−1 and detectivity of 6.5 × 1011 Jones, close to the best heterojunction photodiodes based on CdZnTe solid solution. The devices are also characterized by short rise/fall times (1.2/7.2 µs) and a wide linear dynamic range (77 dB). The proposed photodiodes are promising for applications in space and terrestrial areas with high levels of ionizing radiation.