Kinetics of Thickness Growth of Silicon Films During Pulsed Magnetron Sputtering Using the Caroline D12C System

Condensed Matter, 2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/condmat10010019
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

In this study, the effects of specific power (1–100 W/cm2), operating pressure (0.5–3.0 Pa), and voltage frequency (20–500 kHz) on film growth kinetics, morphology, and silicon entrainment were investigated to optimize magnetron sputtering for producing thin silicon films suitable for lithium-ion battery anodes. Silicon films were deposited on copper substrates using the Caroline D12C system. The film thickness and morphology were determined using scanning electron microscopy and atomic force microscopy. It was found that the porosity of the films increases with increasing pressure in the working chamber. It was found that the film morphology is non-uniform up to a thickness of 100–150 nm. After that, the film thickness becomes uniform over the entire substrate surface, and the deposition rate increases sharply, i.e., an induction period is observed. The induction period duration decreases with increasing voltage power and frequency. At the same time, silicon removal increases. Frequency has a greater effect on both parameters. The paper specifies a strategy for the technical and economic optimization of the magnetron sputtering process, which determines a compromise between the positive effect of increasing productivity and the negative effect of silicon removal.