Impact of Integrated Circuit Packaging on Synaptic Dynamics of Memristive Devices

2018

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/edaps.2018.8680861
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The memristor can be used as non volatile memory (NVM) and for emulating neuron behavior. It has the ability to switch between low resistance Ronand high resistance values Roff, and exhibit the synaptic dynamic behaviour such as potentiation and depression. This paper presents a study on potentiation and depression of memristors in Quad Flat Pack. A comparison is drawn between the memristors with and without the impact of parasitics of packaging, using measured data and equivalent circuit models. The parameters in memristor and packaging models for the SPICE simulations were determined using measured data to reflect the memristor parasitics in Quad Flat Packs.