Барлық параметрлер сіздің құрылғыңызда сақталады.
2014
Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.
The effect thermal annealing has on F and F n centers in LiF crystals irradiated by Kr ions with an energy of 150 MeV is studied with allowance for fluence and ionic currents. It is found that annealing at a temperature of 400 K using crystals irradiated at a fluence of ≥1013 iom/cm2 reduces the concentration of F centers (due to annihilation with H centers) and raises the concentration of complex F n centers.