Nanodiodes based on double-walled transition metal dichalcogenide nanotubes: enhancement of current rectification via a moiré superlattice

2026

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Hybrid Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1088/2043-6262/ae5538
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract This work presents a theoretical investigation of the electronic and transport properties of a telescopic nanoelectronic device based on a coaxial double-walled MoS 2 (6, 6)@WS 2 (14, 14) nanotube contacted by metallic carbon nanotubes (13, 13). It is shown that the formation of a van der Waals heterostructure leads to a narrowing of the band gap to approximately 0.75 eV due to interlayer hybridization of d- and p-orbitals and the associated redistribution of electronic charge density. The density-of-states spectra exhibit pronounced one-dimensional van Hove singularities, indicating the quantized nature of the electronic spectrum. Analysis of the transport characteristics reveals the presence of a wide transport gap (∼2.25 eV) and a strong dependence of electron transport on the twist angle between the nanotubes arising from the formation of a moiré superlattice. An increase in the twist angle results in the emergence of additional resonant transport channels and a substantial enhancement of conductivity. The calculated current–voltage characteristics demonstrate pronounced diode-like behavior with threshold turn-on at ∼1.4–1.5 V and maximum conductance at a twist angle of 12.8°. The obtained results highlight the potential of double-walled transition metal dichalcogenide nanotubes as tunable nanodiodes for hybrid nanoelectronic devices.