Investigation of Complex ZnO-Porous Silicon Structures with Different Dimensions Obtained by Low-Temperature Synthesis

2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/pr13072099
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The study of the processes of low-temperature synthesis of one-dimensional particles, which are the basis for two- and three-dimensional structures, is relevant for materials science. The modified metal-stimulated electrochemical etching method made it possible to synthesize silicon nanowires with an average thickness of about 292.6 nm. Scanning electron microscopy has shown the formation of nanowires, flower-like structures, and clusters of matter after the deposition of zinc oxide on the porous surface. The hexagonal structure of ZnO crystallites was determined by X-ray diffraction spectroscopy. Studies of the initial sample by electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopy revealed a narrow signal in the center of the spectrum. The subtraction of the EPR spectra with a sequential increase in microwave power up to 8 mW shows the absence of saturation of the signal. This indicates an almost free flow of charges through the surface nanostructures under the influence of an external field. Heat treatment in an air atmosphere at 300 °C caused a significant increase in the intensity of the EPR spectrum. This led to an increase in the intensity of charge transfer through paramagnetic centers.