Recombination Luminescence and Electron–Hole Trapping Centers in BaSO4-Bi Phosphor

Crystals, 2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/cryst15060552
Деректер сенімділігі 85 жоғары
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study of the BaSO4-Bi phosphor has revealed that the accumulated energy after external optical excitation exhibits specific characteristics. During irradiation with photon energy exceeding the bandgap, in addition to the intrinsic ultraviolet emission of the Bi3+ ion, several recombination emissions and emission from the Bi2+ ion are observed. At 80 K, the recombination luminescence states and Bi2+ ion emission form combined electronic states. Upon heating of the BaSO4-Bi phosphor, these combined electronic states decay into recombination emissions at 2.34 eV, 2.4 eV, 3.1 eV, and 2.7 eV, as well as Bi2+ ion emission at 1.97 eV. It is assumed that the 2.34 eV, 2.4 eV, and 3.1 eV emissions are associated with the recombination of electrons released from ionized SO43− electron trapping centers with nonequivalently localized holes in the host lattice. The 2.7 eV emission is attributed to the decay of an exciton formed by electron–hole recombination near a Bi3+ ion.