Investigation and optimisation of a lithium-drift silicon detector using Si–Li structure and bidirectional diffusion and drift techniques

2024

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1515/revic-2023-0034
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract The research relevance is predefined by the continuous development and improvement of radiation analysis methods and the need for more efficient and accurate detectors for various applications. This research may improve the sensitivity and resolution of Si(Li) detectors, which is important for scientific and industrial research as well as radiation safety monitoring. The research aims to analyse and improve the performance of a Si(Li) lithium-drift silicon detector. The methods used include an analytical method, classification method, functional method, statistical method, synthesis method and others. The results of the two-sided observation of lithium diffusion in silicon monocrystals provided valuable information about the characteristics of the process and its dependence on the method of silicon production. A large-diameter detector detection mode was found to be important for optimising the production of such detectors. The diffusion process in monocrystalline silicon produced by the shadowless zone melting method is relatively fast. This means that lithium ions penetrate the material rapidly and spread evenly throughout its volume. This fast diffusion process can be useful for detectors that need to respond quickly to incoming signals. It was found that in monocrystalline silicon produced by the Czochralski method, there is a delayed penetration of lithium ions.