Voltage controlled memristor threshold logic gates

2016

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/apccas.2016.7803980
Деректер сенімділігі 85 жоғары
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

In this paper, we present a resistive switching memristor cell for implementing universal logic gates. The cell has a weighted control input whose resistance is set based on a control signal that generalizes the operational regime from NAND to NOR functionality. We further show how threshold logic in the voltage-controlled resistive cell can be used to implement a XOR logic. Building on the same principle we implement a half adder and a 4-bit CLA (Carry Look-ahead Adder) and show that in comparison with CMOS-only logic, the proposed system shows significant improvements in terms of device area, power dissipation and leakage power.