An Accurate and Reliable Behavioral Modeling Technique for Fully Printed Vanadium Dioxide RF Switches Using Model Ensembling Approach

2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/access.2025.3591890
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This paper develops and showcases model ensembling based accurate, reliable and computer-aided design integrable behavioral modeling technique for the emerging fully printed Vanadium dioxide (VO2) based Radio Frequency (RF) switches. Initially, separate and independent models are trained using Extreme Gradient Boosting (XGBoost), Categorical Boosting (CatBoost), and Light Gradient Boosting Machine (LightGBM) gradient boosting frameworks. The hyperparameters of standalone XGBoost, CatBoost, and LightGBM based models are optimized using random search optimization coupled with cross-validation scheme. Then, weighted ensemble models are constructed by leveraging the optimally trained XGBoost, CatBoost, and LightGBM based models. It is vital to carefully calibrate the ensembling weights, therefore an optimization algorithm namely Tuna Swarm Optimization (TSO) is employed. Finally, all the developed models are tried and validated on standard regression tests including for the mean relative error across all operating temperature conditions. The proposed weighted ensemble models have achieved remarkable accuracy and efficiency in simulating the behavior of VO2RF switches.