The impact of SnO2 photoelectrode’s thickness on photovoltaic properties of the solar cell FTO:SnO2:PTB7-TH:ITIC/Mo/Ag

2022

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.31489/2022ph2/86-91
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The paper reports the results of a study of the morphological, optical and electrophysical parameters of SnO2 films. SnO2 films are applied by spin-coating at different revolutions of the centrifuge. The topography of the surface and the thickness of the SnO2 films are studied using an atomic force microscope. The current-voltage characteristics of solar cells are measured. The optical properties with different thicknesses of SnO2 films are also investigated. It is shown that an increase in the rotation speed of the substrate leads to a decrease in the surface roughness of the SnO2 films. It is found that changes in the morphology of SnO2 films contribute to the rapid transport of injected holes to the external electrode and reduce the probability of reverse recombination. Cells with an electron transport layer of SnO2 at 2000 revolutions showed a low efficiency of 0.17%. With a decrease in the thickness of the SnO2 films to a value of 62 nm, there is an increase in the value of the short-circuit current by 2.3 times and a change in the no-load voltage by 1.12 times.