Mechanisms for Enhancing Luminescence Yield in KBr Crystals under the Influence of Low-Temperature Uniaxial Elastic Deformation

2024

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/cryst14080698
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study investigates the radiative relaxation of electronic excitations through luminescence spectroscopy techniques applied to high-purity KBr crystals subjected to low-temperature (85 K) uniaxial deformation along the <100> and <110> crystallographic directions. Results demonstrate that the most significant enhancement in the intensity of σ-(4.42 eV) and π-(2.3 eV) luminescence from self-trapped excitons in KBr crystals occurs with elastic deformation along the <110> direction, aligning with the axis of the hole component of the anion self-trapped exciton. Deformation-induced changes in X-ray, tunneling, and thermally stimulated luminescence spectra reveal a new band, denoted as Ex, peaking at approximately 3.58 eV, attributed to tunneling charge exchange between the F’- and VK-centers in their ground state.