Барлық параметрлер сіздің құрылғыңызда сақталады.
2021
Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.
The mechanisms of creation of impurity and intrinsic electron-hole trapping centers in Na2SO4 − Cu crystals have been investigated by spectroscopic methods. It is shown that impurity and intrinsic electron-hole trapping centers in the crystal lattice Na2SO4 − Cu are created in the same energy distances approximately 3.87-4.0 eV and 4.43-4.5 eV. During the annealing of electron-hole trapping centers, the energy of the recombination processes is transferred to impurities.