Sensor stability assurance problems and their relationship with the overall problems of providing system performance quality

2020

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1051/matecconf/202032903032
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Research has been carried out in the field of ensuring the stability of transmitters, which are designed to work in extreme conditions. The complexity of the solved problems and the need for a systemic approach, including structural, material science, are noted. Approaches of leading foreign and domestic companies - manufacturers of sensors and measuring systems to issues of metrological reliability of measuring transducers have been analyzed. Ambiguity of interpretation of the term “stability” by various developers and manufacturers of sensors is shown. Most often, the accompanying documentation for sensors, as well as prospectuses and catalogs indicate a qualitative characteristic, and very rarely quantitative parameters. At the same time, international quality standards indicate the need to disclose qualitative indicators and translate them into quantitative data. The concept of ensuring stability of sensors during their life cycle, based on international quality standards and new design and technological solutions, is proposed. On the example of the beam sensitive element of the metal film pressure sensor, a specific effective technique for stabilizing the electrophysical characteristics of the film heterostructure is shown.