Growth and Liquid-Phase Exfoliation of GaSe1−xSx Crystals

2022

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/ma15207080
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

In recent years, interest in the liquid-phase exfoliation (LPE) of layered crystals has been growing due to the efficiency and scalability of the method, as well as the wide range of practical applications of the obtained dispersions based on two-dimensional flakes. In this paper, we present a comparative study of as-grown and liquid-phase exfoliated GaSe1−xSx flakes. Bulk GaSe1−xSx crystals with x ~ 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1 were synthesized by melting stoichiometric amounts of gallium, selenium, and sulfur particles in evacuated ampoules. X-ray diffraction analysis showed that the crystal structure does not change considerably after LPE, while the analysis of the Raman spectra revealed that, after liquid-phase processing in IPA, an additional peak associated with amorphous selenium is observed in selenium-rich GaSeS compounds. Nevertheless, the direct and indirect transition energies determined from the Kubelka-Munk function for LPE crystals correlate with the band gap of the as-grown bulk GaSeS crystals. This finding is also confirmed by comparison with the data on the positions of the photoluminescence peak.