Enhanced Raman scattering in multilayer structures of porous silicon

Д. А. Мамичев, K. A. Gonchar, Victor Yu. Timoshenko, Gauhar Mussabek, Valery Eduardovich Nikulin, Toktar Iskataevich Taurbaev

2011

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1002/jrs.2865

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract Multiple enhancement of the Raman scattering efficiency is observed in porous‐silicon‐based one‐dimensional photonic bandgap (PBG) structures with tunable reflection and dispersion under excitation at 1.06 µm. The experimental results are explained as being due to the resonant increase in the effective Raman susceptibility at light wavelengths close to the PBG edges. This effect is discussed in view of possible applications in the Raman spectroscopy of molecules embedded in porous media as well as in the Raman laser based on silicon. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.