Structural and optical properties of Y3Al5O12 single crystals irradiated by swift heavy Xe ions

2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1038/s41598-025-26327-z
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The multifaceted radiation effects occurring in advanced optical material – the crystals of yttrium aluminum garnet Y3Al5O12, irradiated by swift heavy 230 MeV Xe ions to fluences of 6 × 1010-1013 ions/cm2 have been investigated using various research techniques, including optical absorption, Raman spectroscopy, photoluminescence under excitation by the synchrotron radiation, nanohardness measurements, and high-resolution transmission electron microscopy. The near-surface layer at high fluence becomes amorphous, and material softening indicates destruction of cation-anion bonds due to tracks overlapping. Transmission electron microscopy analysis confirmed the presence of continuous tracks in irradiated Y3Al5O12 crystals at energy losses above 10 keV/nm, whereas lower-energy tracks appear as chains of smaller defects. The core track diameter is dc $$\:\approx\:$$ (5.00 $$\:\pm\:$$ 0.15) nm, with a surrounding damaged region of dd $$\:\approx\:$$ (10.00 $$\:\pm\:$$ 0.15) nm. An increase in the concentration of oxygen vacancies (F and F+ centers) and YAl antisite defects with increasing irradiation fluence is confirmed through photoluminescence spectra of initial and irradiated crystals at 9 K. In addition, YAl–F⁺ and/or YAl–F dimers may form based on antisite defects associated with F-like centers, as a result of melting and crystalization processes occurring during track formation under Xe ion irradiation.